来源：环球市场播报
核心要点
SK 海力士周五宣布，将投入 54 万亿韩元（折合 381 亿美元）建设两座全新存储芯片制造工厂。受供需失衡影响，存储芯片价格大幅上涨，投资者密切关注供需格局何时出现转变。两座新工厂分别设于龙仁（代号 Y2）与清州（代号 M17）。
2026 年 6 月 30 日，韩国城南，SK 海力士办公大楼标识。SK 海力士周五公布，随着人工智能核心元器件 —— 存储芯片需求持续攀升，公司计划投入 54 万亿韩元（381 亿美元）兴建两座存储芯片制造厂。
这家韩国科技巨头规划向龙仁晶圆厂项目 “Y2” 投入 35.2 万亿韩元；另外划拨 19.1 万亿韩元用于清州工厂 “M17” 项目。
当前各大企业大力建设数据中心等 AI 基础设施，叠加英伟达等芯片厂商需要海量高带宽显存（HBM），市场供不应求，推动存储芯片价格一路走高。
存储芯片涨价行情，带动 SK 海力士、三星、美光三大存储厂商股价大幅上涨，投资者押注供需紧张局面仍将持续一段时间。
市场研究机构 Counterpoint 的数据显示，SK 海力士面临三星日趋激烈的竞争。今年第二季度，三星重新夺回 DRAM（动态随机存取存储器）市场份额第一名，DRAM 也是当下需求最为旺盛的一类存储产品。
Counterpoint 研究副总裁、联合创始人尼尔・沙阿接受 采访表示：“形势倒逼 SK 海力士加大资本开支扩充产能。短期新增投资无法立刻提升出货量，本次产能布局瞄准 2029 年及以后的市场。”
“放眼全球市场，三星、SK 海力士、美光持续扩产，2028 年前全球存储芯片供给将会显著增加。但需求增速高于新增产能投放节奏，2028 年底之前，存储芯片价格很难回落。”
SK 海力士建厂规划
龙仁 Y2 工厂 这是 SK 海力士在龙仁半导体产业园规划四座晶圆厂中的第二座，定位 DRAM 生产基地。 项目将于 2027 年 7 月动工；首座洁净车间 2029 年 6 月投产，量产 HBM 以及新一代 DRAM 产品。 洁净室是芯片制造所需的精密无尘受控生产环境。
清州 M17 工厂 主打 NAND 闪存芯片生产，企业称 NAND 闪存正迎来 “需求爆发式增长”。 2027 年 2 月启动建设，首座洁净车间 2028 年 12 月投产。
SK 海力士在新闻稿中表示：“人工智能时代，仅仅拥有技术优势远远不够。能否精准匹配客户交付节奏、稳定足额供货，才是终极核心竞争力。我们在全面研判市场需求后，敲定了本次大规模投资方案。”
本次投资是 SK 海力士去年公布的长期总体规划的落地环节。按照总体规划，企业计划向龙仁半导体产业园投入 600 万亿韩元，并拿出 100 万亿韩元扩建清州生产基地。
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